來(lái)源：愛(ài)集微

　　在俄勒岡州波特蘭市郊的英特爾晶圓廠內(nèi)，幾臺(tái)印著“ACM Research”（盛美半導(dǎo)體）標(biāo)識(shí)的設(shè)備正在進(jìn)行最后的調(diào)試。這些來(lái)自中國(guó)的濕法刻蝕設(shè)備，不僅承載著英特爾14A（1.4納米級(jí)）先進(jìn)制程的量產(chǎn)希望，更在悄然打破一個(gè)延續(xù)多年的行業(yè)認(rèn)知——中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備只能用于成熟制程。當(dāng)中國(guó)技術(shù)觸及全球最頂尖芯片制造的核心環(huán)節(jié)，一場(chǎng)靜悄悄卻深刻的產(chǎn)業(yè)重構(gòu)正在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域展開(kāi)。

　　技術(shù)破局：氮?dú)夤呐菁夹g(shù)的“入場(chǎng)券”

　　英特爾14A制程的野心從一開(kāi)始就直指行業(yè)巔峰。作為計(jì)劃2027年量產(chǎn)的頂尖工藝，它搭載High-NA EUV光刻機(jī)與第二代PowerVia背面供電方案，目標(biāo)是在晶體管密度和能效比上超越臺(tái)積電2nm制程。然而，先進(jìn)技術(shù)的背后是制程微縮帶來(lái)的工藝難題——當(dāng)芯片線路寬度進(jìn)入納米級(jí)，高深寬比結(jié)構(gòu)的濕法刻蝕中，副產(chǎn)物沉積與刻蝕均勻性問(wèn)題成為制約良率的致命瓶頸。

　　盛美設(shè)備能躋身英特爾測(cè)試名單，核心底氣來(lái)自其專(zhuān)利申請(qǐng)中的氮?dú)猓∟?）鼓泡技術(shù)。據(jù)盛美上海2025年7月的官方披露，升級(jí)后的Ultra C wb濕法清洗設(shè)備通過(guò)這項(xiàng)技術(shù)，將晶圓內(nèi)及晶圓間的刻蝕均勻性提升50%以上，同時(shí)高效解決了傳統(tǒng)磷酸清洗工藝中的副產(chǎn)物二次沉積問(wèn)題。

　　這項(xiàng)技術(shù)的突破性在于其物理原理的創(chuàng)新。傳統(tǒng)的濕法刻蝕工藝中，化學(xué)液在納米級(jí)結(jié)構(gòu)內(nèi)流動(dòng)性差，導(dǎo)致反應(yīng)副產(chǎn)物難以排出，形成局部沉積。而盛美的氮?dú)夤呐菁夹g(shù)通過(guò)在化學(xué)液中產(chǎn)生均勻、可控的微氣泡，在納米結(jié)構(gòu)中形成微流動(dòng)，有效帶出副產(chǎn)物，同時(shí)氣泡的物理作用還能防止結(jié)構(gòu)坍塌，這對(duì)于3D NAND和先進(jìn)邏輯芯片的制造尤為關(guān)鍵。

　　對(duì)英特爾而言，這一技術(shù)恰好匹配14A制程中3D邏輯器件的制造需求——PowerVia背面供電技術(shù)對(duì)電路精度的苛刻要求，需要刻蝕環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的控制精度。盛美設(shè)備已通過(guò)疊層氮化硅蝕刻、柵極線鎢蝕刻等三道先進(jìn)工藝驗(yàn)證，表現(xiàn)出與國(guó)際頂尖設(shè)備媲美的性能。

　　性能數(shù)據(jù)正在夯實(shí)這份競(jìng)爭(zhēng)力。盛美高管在調(diào)研中證實(shí)，已向美國(guó)頭部半導(dǎo)體廠商交付3套測(cè)試設(shè)備，部分關(guān)鍵指標(biāo)已達(dá)標(biāo)。其顆粒去除率能有效清除特殊磷酸添加劑的有機(jī)殘留物，工藝兼容性覆蓋磷酸、TMAH等多種化學(xué)藥液。更具吸引力的是成本優(yōu)勢(shì)——盛美的批式處理設(shè)備在化學(xué)品消耗和生產(chǎn)效率上較單晶圓設(shè)備更具優(yōu)勢(shì)，這對(duì)因采用High-NA EUV而面臨巨大成本壓力的英特爾而言，無(wú)疑是重要考量。

　　英特爾的“雙面困境”與供應(yīng)鏈重構(gòu)

　　英特爾對(duì)盛美設(shè)備的測(cè)試，本質(zhì)上是一場(chǎng)關(guān)乎生存的戰(zhàn)略下注。新任CEO陳立武（Pat Gelsinger）推動(dòng)的代工業(yè)務(wù)“大手術(shù)”已明確方向：放棄18A制程外售，集中資源攻堅(jiān)14A工藝，目標(biāo)是通過(guò)2027年的量產(chǎn)計(jì)劃爭(zhēng)奪微軟、英偉達(dá)等核心客戶(hù)。然而，現(xiàn)實(shí)困境接踵而至：一方面，18A制程研發(fā)耗資數(shù)十億美元，若14A量產(chǎn)延遲將引發(fā)巨額資產(chǎn)減計(jì)；另一方面，《芯片法案》承諾的數(shù)十億美元補(bǔ)貼遲遲未到賬，英特爾已投入300億美元建廠卻顆粒無(wú)收。

　　供應(yīng)鏈多元化成為破局關(guān)鍵。長(zhǎng)期以來(lái)，英特爾先進(jìn)制程設(shè)備依賴(lài)應(yīng)用材料、東京電子等巨頭，濕法設(shè)備市場(chǎng)更是被這兩家企業(yè)壟斷超過(guò)80%。這種單一供應(yīng)格局不僅使英特爾在定價(jià)上缺乏議價(jià)能力，更在地緣政治緊張時(shí)面臨斷供風(fēng)險(xiǎn)。盛美設(shè)備的出現(xiàn)，不僅帶來(lái)性?xún)r(jià)比選擇，更能構(gòu)建更具韌性的供應(yīng)鏈體系。

　　數(shù)據(jù)顯示，盛美濕法設(shè)備全球市占率已排名第四，電鍍?cè)O(shè)備位列第三，其自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系能有效避免專(zhuān)利糾紛。英特爾副總裁約翰·皮策（John Pitzer）近期透露，14A制程開(kāi)發(fā)進(jìn)度優(yōu)于同期18A，PDK（工藝設(shè)計(jì)套件）成熟度更高，這背后離不開(kāi)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的高效推進(jìn)。值得注意的是，盛美在美國(guó)設(shè)有總部，在韓國(guó)擁有研發(fā)生產(chǎn)基地，形成了“中國(guó)技術(shù)、全球制造、本地服務(wù)”的多元化布局，這為其進(jìn)入受地緣政治影響的美國(guó)市場(chǎng)提供了合規(guī)路徑。

　　然而，政策合規(guī)的紅線始終高懸。美國(guó)新提出的《CHIP EQUIP Act》明確要求，受聯(lián)邦補(bǔ)貼項(xiàng)目禁用“受關(guān)注外國(guó)實(shí)體”設(shè)備。盡管盛美通過(guò)美國(guó)總部完成設(shè)備交付，且韓國(guó)基地可提供替代供應(yīng)，但盛美上海被列入實(shí)體清單的背景仍讓英特爾陷入爭(zhēng)議。美國(guó)國(guó)家安全部門(mén)已就此事展開(kāi)評(píng)估，有議員質(zhì)疑“設(shè)備核心技術(shù)是否源自中國(guó)，是否存在遠(yuǎn)程操控風(fēng)險(xiǎn)”。這種矛盾背后，是美國(guó)“產(chǎn)業(yè)扶持”與“技術(shù)封鎖”雙重目標(biāo)的內(nèi)在沖突——一方面希望通過(guò)補(bǔ)貼重建本土芯片制造能力，另一方面又試圖限制中國(guó)技術(shù)進(jìn)步，而這兩個(gè)目標(biāo)在全球化產(chǎn)業(yè)鏈中往往難以兼得。

　　產(chǎn)業(yè)震動(dòng)：國(guó)產(chǎn)設(shè)備的全球化破局路徑

　　對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)而言，盛美進(jìn)入英特爾14A測(cè)試環(huán)節(jié)，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)設(shè)備從“成熟制程”向“先進(jìn)制程”的歷史性跨越。在此之前，外界普遍認(rèn)為國(guó)產(chǎn)設(shè)備只能用于28nm及以上成熟工藝，而盛美的突破證明，在濕法刻蝕等細(xì)分領(lǐng)域，中國(guó)企業(yè)已具備與國(guó)際巨頭抗衡的技術(shù)實(shí)力。這一突破并非偶然，而是中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)多年深耕的結(jié)果。

　　盛美半導(dǎo)體成立于2005年，創(chuàng)始人王暉博士在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域有超過(guò)30年經(jīng)驗(yàn)。公司最初從清洗設(shè)備切入，通過(guò)差異化技術(shù)路線，逐步擴(kuò)展到電鍍、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。其國(guó)際化路徑尤為值得關(guān)注——通過(guò)在美國(guó)設(shè)立總部、韓國(guó)建立生產(chǎn)基地，盛美構(gòu)建了規(guī)避制裁的運(yùn)營(yíng)架構(gòu)；通過(guò)持續(xù)研發(fā)投入（年?duì)I收的15%以上用于研發(fā)），在特定領(lǐng)域形成了專(zhuān)利壁壘；通過(guò)與全球客戶(hù)深度合作，不斷迭代產(chǎn)品性能。

　　更具示范意義的是盛美的技術(shù)突破模式：不在所有領(lǐng)域與國(guó)際巨頭正面競(jìng)爭(zhēng)，而是選擇濕法刻蝕、電鍍等細(xì)分市場(chǎng)，通過(guò)原理創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)“換道超車(chē)”。這種聚焦策略為中微公司、北方華創(chuàng)等中國(guó)設(shè)備企業(yè)提供了可借鑒的經(jīng)驗(yàn)——在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中，即便是細(xì)分領(lǐng)域的突破，也能對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生重要影響。

　　全球供應(yīng)鏈的重構(gòu)信號(hào)已清晰顯現(xiàn)。若盛美設(shè)備通過(guò)最終測(cè)試，將直接打破應(yīng)用材料、東京電子在先進(jìn)濕法設(shè)備領(lǐng)域的壟斷格局，迫使國(guó)際巨頭降低設(shè)備定價(jià)、加快技術(shù)迭代。對(duì)臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手而言，這意味著英特爾14A制程可能形成“技術(shù)領(lǐng)先+成本優(yōu)勢(shì)”的雙重競(jìng)爭(zhēng)力——14A較臺(tái)積電2nm提前一年量產(chǎn)的時(shí)間窗口，疊加國(guó)產(chǎn)設(shè)備的性?xún)r(jià)比助力，或?qū)⒏膶?xiě)當(dāng)前“臺(tái)積電主導(dǎo)先進(jìn)制程”的產(chǎn)業(yè)格局。

　　已有消息顯示，三星正密切關(guān)注此次測(cè)試進(jìn)展，考慮將盛美設(shè)備納入其3D NAND產(chǎn)線的備選方案。而臺(tái)積電雖然公開(kāi)表示其2nm工藝進(jìn)展順利，但內(nèi)部已開(kāi)始評(píng)估引入更多設(shè)備供應(yīng)商以降低成本的可能性。這場(chǎng)由技術(shù)突破引發(fā)的供應(yīng)鏈多元化趨勢(shì)，正在改變?nèi)虬雽?dǎo)體設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)生態(tài)。

　　地緣博弈：技術(shù)流動(dòng)與政策封鎖的拉鋸戰(zhàn)

　　盛美設(shè)備進(jìn)入英特爾測(cè)試環(huán)節(jié)，也暴露了當(dāng)前全球半導(dǎo)體地緣博弈的復(fù)雜性與內(nèi)在矛盾。美國(guó)一方面通過(guò)《芯片法案》提供527億美元補(bǔ)貼，鼓勵(lì)本土芯片制造；另一方面又通過(guò)出口管制和實(shí)體清單，限制中國(guó)獲得先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備。然而，盛美“美國(guó)總部合規(guī)+中國(guó)技術(shù)支撐”的模式，顯示了技術(shù)流動(dòng)難以完全阻斷的現(xiàn)實(shí)。

　　業(yè)內(nèi)分析指出，盛美的突破反映了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)基本規(guī)律：當(dāng)一項(xiàng)技術(shù)達(dá)到足夠成熟度，其擴(kuò)散將難以通過(guò)行政手段完全遏制。特別是在濕法刻蝕這類(lèi)依賴(lài)化學(xué)原理和工藝know-how的領(lǐng)域，中國(guó)工程師通過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐積累的工藝經(jīng)驗(yàn)，已形成獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。這種優(yōu)勢(shì)與地緣政治無(wú)關(guān)，而是市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下技術(shù)發(fā)展的自然結(jié)果。

　　美國(guó)政策制定者面臨兩難選擇：若嚴(yán)格限制所有與中國(guó)相關(guān)的技術(shù)，可能阻礙本國(guó)芯片制造商的創(chuàng)新和成本控制；若允許部分合作，則可能加速中國(guó)技術(shù)進(jìn)步。這種困境在《CHIP EQUIP Act》立法過(guò)程中已充分體現(xiàn)——法案最初版本試圖全面禁止“受關(guān)注國(guó)家”設(shè)備，但在產(chǎn)業(yè)界游說(shuō)下，最終加入了更多豁免和評(píng)估條款。

　　從更廣視角看，盛美案例反映了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“技術(shù)民族主義”與“全球化協(xié)作”之間的張力。一方面，各國(guó)為保障供應(yīng)鏈安全，推動(dòng)本土制造能力建設(shè)；另一方面，半導(dǎo)體創(chuàng)新的復(fù)雜性和高成本，又要求全球范圍內(nèi)的專(zhuān)業(yè)分工與合作。在這種背景下，完全“脫鉤”既不現(xiàn)實(shí)也不經(jīng)濟(jì)，更可能的路徑是形成“有限多元化”的供應(yīng)鏈格局——即在關(guān)鍵領(lǐng)域建立備份能力，同時(shí)在非敏感環(huán)節(jié)保持全球協(xié)作。

　　未來(lái)展望

　　展望未來(lái)，盛美與英特爾的合作無(wú)論結(jié)果如何，都已對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。從技術(shù)角度看，這一案例證明了在特定半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，中國(guó)公司已具備參與最先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)的能力。這或?qū)⒓?lì)更多中國(guó)設(shè)備企業(yè)加大研發(fā)投入，在更多細(xì)分領(lǐng)域?qū)で笸黄啤?/p>

　　從產(chǎn)業(yè)格局看，設(shè)備供應(yīng)商的多元化將增強(qiáng)芯片制造商的議價(jià)能力，降低先進(jìn)制程研發(fā)成本，最終可能加速摩爾定律的延續(xù)。有分析預(yù)測(cè)，若盛美設(shè)備通過(guò)測(cè)試并量產(chǎn)交付，可使英特爾14A制程的設(shè)備投資降低10-15%，這在動(dòng)輒數(shù)百億美元的先進(jìn)制程投資中意義重大。

　　從地緣政治看，這一案例可能促使美國(guó)重新評(píng)估其對(duì)華技術(shù)管制策略。單純的設(shè)備禁運(yùn)已難以阻止中國(guó)技術(shù)進(jìn)步，更可能促使中國(guó)加速自主創(chuàng)新，最終形成兩套平行的技術(shù)體系。這種“技術(shù)脫鉤”的結(jié)果，可能是全球半導(dǎo)體市場(chǎng)分裂，創(chuàng)新速度放緩，最終損害所有參與方的利益。

　　更為根本的是，盛美的突破反映了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個(gè)新現(xiàn)實(shí)：技術(shù)創(chuàng)新已不再局限于傳統(tǒng)半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)。隨著中國(guó)在科研投入、工程師培養(yǎng)和市場(chǎng)應(yīng)用方面的持續(xù)進(jìn)步，其在全球半導(dǎo)體創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)中的角色正從“追隨者”向“并行者”乃至“領(lǐng)跑者”轉(zhuǎn)變。這種轉(zhuǎn)變不是零和游戲，而是可能通過(guò)競(jìng)爭(zhēng)與合作，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)向前發(fā)展。

　　結(jié)語(yǔ)：在開(kāi)放與安全之間尋找平衡點(diǎn)

　　英特爾俄勒岡州晶圓廠的調(diào)試仍在繼續(xù)，盛美設(shè)備的每一次參數(shù)達(dá)標(biāo)，都在重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的認(rèn)知邊界。這場(chǎng)跨越太平洋的技術(shù)合作，既展現(xiàn)了摩爾定律演進(jìn)中技術(shù)創(chuàng)新的必然邏輯，也折射出地緣政治對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的深刻影響。

　　當(dāng)中國(guó)設(shè)備叩開(kāi)1.4nm制程大門(mén)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正站在十字路口：是選擇封閉壁壘，讓技術(shù)創(chuàng)新陷入停滯；還是回歸開(kāi)放協(xié)作，在競(jìng)爭(zhēng)中推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步？盛美與英特爾的故事給出了啟示：在半導(dǎo)體這樣高度全球化的產(chǎn)業(yè)中，技術(shù)突破的力量終將超越地緣博弈的短期考量。

　　正如摩爾定律的核心是創(chuàng)新而非封鎖，全球產(chǎn)業(yè)鏈的未來(lái)，終究取決于能否在安全與發(fā)展、競(jìng)爭(zhēng)與合作之間找到動(dòng)態(tài)平衡。這種平衡不是靜態(tài)的妥協(xié)，而是基于對(duì)技術(shù)發(fā)展規(guī)律和產(chǎn)業(yè)生態(tài)的深刻理解，構(gòu)建既有韌性又保持開(kāi)放的合作框架。

　　盛美的案例或許只是一個(gè)開(kāi)始，但它揭示了一個(gè)重要趨勢(shì)：在全球化的技術(shù)創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)中，任何國(guó)家或企業(yè)都無(wú)法壟斷所有環(huán)節(jié)。唯有在尊重知識(shí)產(chǎn)權(quán)和市場(chǎng)規(guī)則的前提下，通過(guò)開(kāi)放合作、良性競(jìng)爭(zhēng)，才能推動(dòng)半導(dǎo)體這一基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)持續(xù)進(jìn)步，最終惠及全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。

　　而這，或許正是這場(chǎng)1.4nm技術(shù)突圍背后，最值得深思的產(chǎn)業(yè)命題與未來(lái)方向。